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US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

us1_test_dcicons.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Technische Details US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT Vishay Semiconductors us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
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US1K-E3\5AT US1K-E3\5AT Vishay Semiconductors Rectifiers 1A, 800V, 75NS, SMA, UF RECT, SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT VISHAY us1_test_dcicons.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Produkt ist nicht verfügbar
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US1K-E3/5AT US1K-E3/5AT Vishay us1testdcicons.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin SMA T/R
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Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
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Rectifiers 1A, 800V, 75NS, SMA, UF RECT, SMD
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
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US1K-E3/5AT
Hersteller: Vishay
Diode Switching 800V 1A 2-Pin SMA T/R
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