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US1ME3/61T

US1ME3/61T Vishay

us1_test_dcicons.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details US1ME3/61T Vishay

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

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US1ME3/61T US1ME3/61T Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : VISHAY US1M-E3-61T.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
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820+ 0.087 EUR
851+ 0.084 EUR
867+ 0.083 EUR
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : VISHAY US1M-E3-61T.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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US1ME3/61T US1ME3/61T Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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US1ME3/61T US1ME3/61T Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1ME3/61T US1ME3/61T Hersteller : Vishay us1_test_dcicons.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : Vishay General Semiconductor us1_test_dcicons.pdf Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1_test_dcicons.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : Vishay us1.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : VISHAY 2244881.pdf Description: VISHAY - US1M-E3/61T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 257743 Stücke:
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : VISHAY 2244881.pdf Description: VISHAY - US1M-E3/61T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T Hersteller : Vishay us1.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 408850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
US1M-E3/61T Hersteller : GENERAL SEMICONDUCTOR us1_test_dcicons.pdf DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC)
auf Bestellung 143 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
42+0.23 EUR
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US1M-E3/61T Hersteller : Vishay Semiconductor us1_test_dcicons.pdf Випрямний ультрашвидкий діод SMD; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,7; If, A = 1; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 10 @ 4; 1 кГц; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 75; Час станд. відн., (нс)/струм, мА
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29+ 0.22 EUR
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US1M-E3/61T Hersteller : Vishay Semiconductors us1_test_dcicons.pdf Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SMA=DO-214AC (SMD)
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US1M-E3/61T Hersteller : Vishay us1.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R
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US1M-E3/61T US1M-E3/61T
Produktcode: 53916 		us1_test_dcicons.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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