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Technische Details US1ME3/61T Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote US1ME3/61T nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.85 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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US1M-E3/61T | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 10pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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US1M-E3/61T | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 10pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1ME3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 232987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt |
auf Bestellung 66660 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - US1M-E3/61T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 257043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - US1M-E3/61T - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 75ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 405250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : GENERAL SEMICONDUCTOR | DIODE ULTRA FAST 1A 1000V SMA (DO-214AC) |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод SMD; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,7; If, A = 1; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 10 @ 4; 1 кГц; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 75; Час станд. відн., (нс)/струм, мА |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay Semiconductors | Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SMA=DO-214AC (SMD) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US1M-E3/61T | Hersteller : Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
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