USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
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Technische Details USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of diode: TVS array, Leakage current: 1µA, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 13.3V, Max. forward impulse current: 5A, Case: SO8, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Semiconductor structure: bidirectional.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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| USB50812CE3/TR7 |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC 8-SO |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS array 2 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 12V |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: TVS array Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 5A Case: SO8 Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional |
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