USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 1.63 EUR |
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Technische Details USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Max. off-state voltage: 12V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 5A, Breakdown voltage: 13.3V, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Mounting: SMD, Case: SO8.
Weitere Produktangebote USB50812CE3/TR7 nach Preis ab 1.63 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS array 2 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 12V |
auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| USB50812CE3/TR7 |
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auf Bestellung 5732 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB50812CE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Max. off-state voltage: 12V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 13.3V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Peak pulse power dissipation: 0.5kW Mounting: SMD Case: SO8 |
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