USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 1.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details USB50812CE3/TR7 Microchip Technology
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Type of diode: TVS array, Leakage current: 1µA, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 13.3V, Max. forward impulse current: 5A, Case: SO8, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Semiconductor structure: bidirectional.
Weitere Produktangebote USB50812CE3/TR7 nach Preis ab 1.6 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
 ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS array 2 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 12V |
auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
| USB50812CE3/TR7 |
|
auf Bestellung 5732 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||
|
|
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 12V 26Vc 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 26VC 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
 |
USB50812CE3/TR7 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 13.3V; 5A; 500W; bidirectional; SO8; reel,tape Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: TVS array Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 5A Case: SO8 Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: bidirectional |
Produkt ist nicht verfügbar |