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UTV080 GHZ


Hersteller: GHZ

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Technische Details UTV080 GHZ

Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV, Gain: 9dB ~ 10dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount, Package / Case: 55JV, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: 55JV, Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, Power - Max: 65W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
UTV080 Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Gain: 9dB ~ 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount
Package / Case: 55JV
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 55JV
Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A
Power - Max: 65W
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UTV080 Microsemi RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
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UTV080
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Gain: 9dB ~ 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Channel, DIN Rail Mount
Package / Case: 55JV
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 55JV
Frequency - Transition: 470MHz ~ 860MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A
Power - Max: 65W
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UTV080
Hersteller: Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
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