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V10WM100-M3/I

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Hersteller:
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V Діоди та діодні збірки
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Technische Details V10WM100-M3/I

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
V10WM100-M3/I V10WM100-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10WM100-M3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Semiconductors
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