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V30100SG-E3/4W

V30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

v30100sg.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Technische Details V30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Average Rectified (Io): 30A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
V30100SG-E3/4W V30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor v30100sg.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
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