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Technische Details V8PAN50-M3/I Vishay
Description: VISHAY - V8PAN50-M3/I - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 8 A, Einfach, DO-221BC, 2 Pin(s), 560 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-221BC, Durchlassstoßstrom: 120A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 560mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: V8PAN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 50V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote V8PAN50-M3/I nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay |
 Diode Schottky 50V 8A 2-Pin SMPA T/R |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay |
Diode Schottky 50V 8A 2-Pin SMPA T/R |
auf Bestellung 35700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay |
Diode Schottky 50V 8A 2-Pin SMPA T/R |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 50V TrenchMOS |
auf Bestellung 31242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3.7A DO221BC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.7A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 50 V |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - V8PAN50-M3/I - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 8 A, Einfach, DO-221BC, 2 Pin(s), 560 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221BC Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: V8PAN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - V8PAN50-M3/I - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 8 A, Einfach, DO-221BC, 2 Pin(s), 560 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221BC Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 560mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: V8PAN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay Semiconductor |
Діод Шотткі smd; Io, A = 3,7; Uзвор, В = 50; Uf (max), В = 0,42; If, А = 3,7; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 1060 @ 4; 1; Тексп, °C = -40...+150; I, мкА @ Ur, В = 1500 @ 50; DO-221BC |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Schottky 50V 8A 2-Pin SMPA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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V8PAN50-M3/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3.7A DO221BC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.7A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 50 V |
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