V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


v9n3l63.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
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Technische Details V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3.1A, Supplier Device Package: DFN33A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v9n3l63.pdf Description: 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3.1A
Supplier Device Package: DFN33A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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V9N3L63-M3/I V9N3L63-M3/I Vishay v9n3l63.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 9A, 60V DFN33A TMBS RECT
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Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1550pF @ 4V, 1MHz
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