VB10170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
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Technische Details VB10170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; Trench SBR®; SMD; 170V, Max. forward voltage: 1V, Technology: Trench SBR®, Max. off-state voltage: 170V, Load current: 5A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Leakage current: 90µA, Case: D2PAK; TO263AB, Type of diode: Schottky rectifying, Mounting: SMD, Max. forward impulse current: 80A.
Weitere Produktangebote VB10170C-E3/8W
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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VB10170C-E3/8W | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VB10170C-E3/8W | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 170V Dual High Volt TrenchMOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VB10170C-E3/8W | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; Trench SBR®; SMD; 170V Max. forward voltage: 1V Technology: Trench SBR® Max. off-state voltage: 170V Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Leakage current: 90µA Case: D2PAK; TO263AB Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. forward impulse current: 80A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VB10170C-E3/8W |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
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Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| VB10170C-E3/8W |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 170V Dual High Volt TrenchMOS
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 170V Dual High Volt TrenchMOS
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| VB10170C-E3/8W |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; Trench SBR®; SMD; 170V
Max. forward voltage: 1V
Technology: Trench SBR®
Max. off-state voltage: 170V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 90µA
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 80A
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; Trench SBR®; SMD; 170V
Max. forward voltage: 1V
Technology: Trench SBR®
Max. off-state voltage: 170V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 90µA
Case: D2PAK; TO263AB
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 80A
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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