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VEMT4700-GS08

VEMT4700-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division

vemt4700.pdf Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, J-Lead
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 120°
Current - Dark (Id) (Max): 200 nA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 100 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details VEMT4700-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division

Description: SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW 4SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, J-Lead, Wavelength: 850nm, Mounting Type: Surface Mount, Orientation: Top View, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Viewing Angle: 120°, Current - Dark (Id) (Max): 200 nA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V, Power - Max: 100 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VEMT4700-GS08 VEMT4700-GS08 Hersteller : Vishay Semiconductors vemt4700.pdf Phototransistors 60 Degree 100mW 70 Volt 50mA
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VEMT4700-GS08 VEMT4700-GS08 Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division vemt4700.pdf Description: SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW 4SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, J-Lead
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 120°
Current - Dark (Id) (Max): 200 nA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 100 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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VEMT4700-GS08 VEMT4700-GS08 Hersteller : Vishay doc81501.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin PLCC T/R
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