VF20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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Technische Details VF20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: ITO-220AB, Current - Average Rectified (Io): 20A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| VF20120S-E3/4W | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VF20120S-E3/4W |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
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