VLS2010ET-3R3M TDK Corporation
Hersteller: TDK Corporation
Description: FIXED IND 3.3UH 830MA 348MOHM SM
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 348mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 830mA
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Not For New Designs
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 830 mA
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 0.44 EUR |
| 59+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details VLS2010ET-3R3M TDK Corporation
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 3.3µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.348ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm, usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 930mA, RMS-Strom Irms: 860mA, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: VLS-E Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote VLS2010ET-3R3M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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VLS2010ET-3R3M | TDK |
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.348ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 930mA RMS-Strom Irms: 860mA Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: VLS-E Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VLS2010ET-3R3M | TDK |
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.348ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 860mA Sättigungsstrom (Isat): 930mA Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: VLS-E Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VLS2010ET-3R3M |
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Hersteller: TDK
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.348ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 930mA
RMS-Strom Irms: 860mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: VLS-E Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.348ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 930mA
RMS-Strom Irms: 860mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: VLS-E Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VLS2010ET-3R3M |
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Hersteller: TDK
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.348ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 860mA
Sättigungsstrom (Isat): 930mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: VLS-E Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TDK - VLS2010ET-3R3M - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 860 mA, Geschirmt, 930 mA, VLS-E Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.348ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 2mm x 2mm x 1mm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 860mA
Sättigungsstrom (Isat): 930mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: VLS-E Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)