VLS252012HBU-4R7M TDK
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Technische Details VLS252012HBU-4R7M TDK
Description: TDK - VLS252012HBU-4R7M - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.51 A, Geschirmt, 2.1 A, VLS-HBU, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.295ohm, usEccn: EAR99, RMS-Strom Irms: 1.51A, Sättigungsstrom (Isat): 2.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: VLS-HBU, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm.
Weitere Produktangebote VLS252012HBU-4R7M nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
 Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.36A 0.295Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 3932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.36A 0.295Ohm DCR 1008 T/R |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK Corporation |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.36A 295MOHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 295mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.67A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.36 A |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
Power Inductors - SMD 4.7uH,+-20%,2520 Power Inductor |
auf Bestellung 9552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK Corporation |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.36A 295MOHM SM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 295mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.67A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.36 A |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
Description: TDK - VLS252012HBU-4R7M - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.51 A, Geschirmt, 2.1 A, VLS-HBU tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.295ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.51A Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: VLS-HBU productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
Description: TDK - VLS252012HBU-4R7M - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 1.51 A, Geschirmt, 2.1 A, VLS-HBU tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.295ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 1.51A Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: VLS-HBU productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.36A 0.295Ohm DCR 1008 T/R |
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VLS252012HBU-4R7M | Hersteller : TDK - Teridian |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.36A 0.295Ohm DCR 1008 T/R |
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