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VMMBZ33C1HD1-G3-08

VMMBZ33C1HD1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vmmbz16c1hd1tovmmbz33c1hd1.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 28VWM 85VC DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 16.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 300mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 85V
Power - Peak Pulse: 15W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Technische Details VMMBZ33C1HD1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 28VWM 85VC DFN10062A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 16.1pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 300mA, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max), Supplier Device Package: DFN1006-2A, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 31.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 85V, Power - Peak Pulse: 15W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VMMBZ33C1HD1-G3-08 VMMBZ33C1HD1-G3-08 Vishay Semiconductors vmmbz16c1hd1tovmmbz33c1hd1.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD 28V BI
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