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VN0550N3-G

VN0550N3-G Microchip Technology

VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
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Technische Details VN0550N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V.

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VN0550N3-G VN0550N3-G Hersteller : Microchip Technology VN0550_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005978A.pdf MOSFETs 500V 60Ohm
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VN0550N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf VN0550N3-G THT N channel transistors
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