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VN0808L-G

VN0808L-G Microchip Technology

vn0808b081913.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN0808L-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN0808%20B081913.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300mA; Idm: 1.9A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.9A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
48+1.52 EUR
57+1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 44
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN0808%20B081913.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300mA; Idm: 1.9A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.9A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology vn0808b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology VN0808%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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8+2.38 EUR
25+1.98 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology VN0808_B081913-3445660.pdf MOSFETs 80V 4Ohm
auf Bestellung 981 Stücke:
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2+2.46 EUR
25+2.04 EUR
100+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : MICROCHIP VN0808%20B081913.pdf Description: MICROCHIP - VN0808L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 248 Stücke:
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology vn0808b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 667 Stücke:
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