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VN0808L-G

VN0808L-G Microchip Technology

vn0808b081913.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN0808L-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.

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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology VN0808 B081913.pdf MOSFETs 80V 4Ohm
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology VN0808%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology vn0808b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
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VN0808L-G VN0808L-G Hersteller : Microchip Technology vn0808b081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
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