,TO-226_straightlead.jpg "VN10KN3-G")
Weitere Produktangebote VN10KN3-G nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
auf Bestellung 3376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10KN3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 2110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VN10KN3-G | Hersteller : Microchip |
N-MOSFET 60V 0.75A TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |