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VN10KN3-G

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Produktcode: 117018
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Transistoren > MOSFET N-CH

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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5658 Stücke:
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology supertex_vn10k.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G MICROCHIP 2337822.pdf Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005983a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN10KN3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.31A 3-Pin TO-92 Bag
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