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VN10LP

VN10LP Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 2864 Stücke:
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Technische Details VN10LP Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VN10LP VN10LP Diodes Incorporated VN10LP.pdf MOSFETs N Chnl. 60V
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VN10LP VN10LP Diodes Incorporated VN10LP.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
auf Bestellung 4563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
36+0.6 EUR
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500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
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VN10LP VN10LP Diodes Zetex 776vn10lp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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228+0.89 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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VN10LP VN10LP DIODES INCORPORATED VN10LP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
90+0.95 EUR
98+0.87 EUR
124+0.69 EUR
140+0.61 EUR
200+0.55 EUR
500+0.5 EUR
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VN10LP VN10LP DIODES INC. DIOD-S-A0000216304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
123+1.89 EUR
175+1.23 EUR
500+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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VN10LP VN10LP Diodes Zetex 776vn10lp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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VN10LP
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N Chnl. 60V
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AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
10+0.56 EUR
100+0.54 EUR
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VN10LP
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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VN10LP
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
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57+1.5 EUR
90+0.95 EUR
98+0.87 EUR
124+0.69 EUR
140+0.61 EUR
200+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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VN10LP DIOD-S-A0000216304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VN10LP
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
123+1.89 EUR
175+1.23 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
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VN10LP
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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