| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.47 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details VN10LP Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VN10LP nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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VN10LP | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-92 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) |
auf Bestellung 4563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
auf Bestellung 3876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
auf Bestellung 3976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10LP | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: TO92 Drain current: 0.27A Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN10LP | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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VN10LP | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 114 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VN10LP |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
auf Bestellung 4563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 0.53 EUR |
| 36+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| VN10LP |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2000+ | 0.42 EUR |
| VN10LP |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| VN10LP |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: TO92
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 7.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 57+ | 1.26 EUR |
| 90+ | 0.8 EUR |
| 98+ | 0.73 EUR |
| 124+ | 0.58 EUR |
| 140+ | 0.51 EUR |
| 200+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| VN10LP |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - VN10LP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VN10LP |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)