VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 230mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 445 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 120+ | 0.6 EUR |
| 125+ | 0.58 EUR |
| 127+ | 0.56 EUR |
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Technische Details VN1206L-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VN1206L-G nach Preis ab 1.78 EUR bis 9.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 120V 6Ohm |
auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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