VN1206L-G Microchip Technology
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Technische Details VN1206L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote VN1206L-G nach Preis ab 1.8 EUR bis 9.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 120V 6Ohm |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN1206L-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN1206L-G - DMOSFET, N-CH, 0.23A, 120V, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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VN1206L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag |
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