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VN2224N3-G

VN2224N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005988a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN2224N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

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VN2224N3-G VN2224N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2224_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442230.pdf MOSFETs 240V 1.25Ohm
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VN2224N3-G VN2224N3-G Hersteller : Microchip Technology VN2224-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005988A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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