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VN2406L-G

VN2406L-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005990a.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VN2406L-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VN2406L-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VN2406L-G VN2406L-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005990a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
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53+3.37 EUR
250+2.9 EUR
500+2.82 EUR
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VN2406L-G VN2406L-G Microchip Technology VN2406D081913-3444128.pdf MOSFETs 240V 6Ohm
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VN2406L-G VN2406L-G Microchip Technology VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 1114 Stücke:
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6+3.71 EUR
25+3.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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VN2406L-G VN2406L-G MICROCHIP VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf Description: MICROCHIP - VN2406L-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 348 Stücke:
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57+4.4 EUR
69+3.42 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
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MOSFETs 240V 6Ohm
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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