VN2410L-G Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details VN2410L-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VN2410L-G nach Preis ab 0.87 EUR bis 1.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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VN2410L-G | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFETs 240V 10Ohm |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN2410L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN2410L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN2410L-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VN2410L-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
VN2410L-G THT N channel transistors |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| VN2410LG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
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VN2410L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VN2410LG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VN2410L-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VN2410LG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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VN2410LG | Hersteller : onsemi |
MOSFET 240V 200mA N-Channel |
Produkt ist nicht verfügbar |