VN2410L-G

VN2410L-G Microchip Technology


vn2410c081913.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 2775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
122+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details VN2410L-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote VN2410L-G nach Preis ab 2.14 EUR bis 2.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.78 EUR
25+ 2.38 EUR
100+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : Microchip Technology VN2410_C081913-965156.pdf MOSFET 240V 10Ohm
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+2.81 EUR
25+ 2.39 EUR
100+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 19
VN2410LG Hersteller : ON Semiconductor vn2410l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : Microchip Technology vn241020c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410LG VN2410LG Hersteller : ON Semiconductor vn2410l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : Microchip Technology vn2410c081913.pdf Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vn2410.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410LG VN2410LG Hersteller : onsemi VN2410L.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410LG VN2410LG Hersteller : onsemi VN2410L_D-2320203.pdf MOSFET 240V 200mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
VN2410L-G VN2410L-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vn2410.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.7A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar