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VN3205N3-G

VN3205N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

VN3205.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details VN3205N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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VN3205N3-G VN3205N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY VN3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 1.2A; Idm: 8A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VN3205N3-G VN3205N3-G Hersteller : Microchip Technology VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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7+2.71 EUR
25+ 2.24 EUR
100+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
VN3205N3-G VN3205N3-G Hersteller : Microchip Technology supertex_vn3205-1181391.pdf MOSFET 50V 0.3Ohm
auf Bestellung 6984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.73 EUR
10+ 2.69 EUR
25+ 2.25 EUR
100+ 2.08 EUR
1000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
VN3205N3-G VN3205N3-G Hersteller : MICROCHIP VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99 Stücke:
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VN3205N3G
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VN3205N3-G VN3205N3-G Hersteller : Microchip Technology 373vn3205.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
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