VN3205N3-G Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
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| 82+ | 2.15 EUR |
| 250+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
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Technische Details VN3205N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VN3205N3-G nach Preis ab 2.3 EUR bis 3.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
 MOSFETs 50V 0.3Ohm |
auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN3205N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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VN3205N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 37 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| VN3205N3G |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 50V 0.3Ohm
MOSFETs 50V 0.3Ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.01 EUR |
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.01 EUR |
| 25+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.3 EUR |
| VN3205N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MICROCHIP - VN3205N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 84+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VN3205N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VN3205N3G |
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)