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VNB35N07TR-E

VNB35N07TR-E STMicroelectronics

1734dm00067343.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details VNB35N07TR-E STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics 1734dm00067343.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics VNV35N07.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5F6ABB5C34360C7&compId=vnb35n07-e.pdf?ci_sign=912d043c31d75160d7511eeb08d79f883755ee55 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 25A; Ch: 1; SMD; D2PAK
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 25A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 28mΩ
Output voltage: 55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
15+4.96 EUR
17+4.36 EUR
25+3.65 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB5F6ABB5C34360C7&compId=vnb35n07-e.pdf?ci_sign=912d043c31d75160d7511eeb08d79f883755ee55 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 25A; Ch: 1; SMD; D2PAK
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 25A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 28mΩ
Output voltage: 55V
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics VNV35N07.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
auf Bestellung 1221 Stücke:
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500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMicroelectronics vnp35n07_e-1852729.pdf Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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VNB35N07TR-E VNB35N07TR-E Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1140 Stücke:
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