VNB35N07TR-E STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details VNB35N07TR-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote VNB35N07TR-E nach Preis ab 3.62 EUR bis 14.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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VNB35N07TR-E | STMicroelectronics |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VNB35N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VNB35N07TR-E | STMicroelectronics |
Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET |
auf Bestellung 1606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VNB35N07TR-E | STMicroelectronics |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Features: Status Flag Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 28mOhm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 55V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 25A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: D2PAK Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active |
auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VNB35N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VNB35N07TR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 3.8 EUR |
| 5000+ | 3.62 EUR |
| VNB35N07TR-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.83 EUR |
| VNB35N07TR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
Power Switch ICs - Power Distribution OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.6 EUR |
| 10+ | 6.5 EUR |
| 25+ | 5.97 EUR |
| 100+ | 5.38 EUR |
| 250+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 5.07 EUR |
| 1000+ | 4.76 EUR |
| VNB35N07TR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 55V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.81 EUR |
| 10+ | 6.54 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| VNB35N07TR-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.07 EUR |
| 27+ | 8.77 EUR |
| 100+ | 5.83 EUR |