Weitere Produktangebote VNN1NV04PTR-E nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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VNN1NV04PTR-E | STMicroelectronics |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 1; SMD; SOT223; -40÷150°C Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.7A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.25Ω Operating temperature: -40...150°C Output voltage: 36V |
auf Bestellung 1313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VNN1NV04PTR-E | STMicroelectronics |
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 250mOhm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 36V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1.7A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: SOT-223 Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VNN1NV04PTR-E | STMicroelectronics |
Gate Drivers 40V 1.7A OMNIFET |
auf Bestellung 13127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VNN1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: -°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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VNN1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: -°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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VNN1NV04PTR-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VNN1NV04PTR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 1; SMD; SOT223; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.25Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 36V
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 1; SMD; SOT223; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.25Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 36V
auf Bestellung 1313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 1.34 EUR |
| 84+ | 1.02 EUR |
| VNN1NV04PTR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 36V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT-223
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.01 EUR |
| 15+ | 1.45 EUR |
| 25+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 250+ | 1.08 EUR |
| VNN1NV04PTR-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Gate Drivers 40V 1.7A OMNIFET
Gate Drivers 40V 1.7A OMNIFET
auf Bestellung 13127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.03 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| 25+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 250+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| VNN1NV04PTR-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VNN1NV04PTR-E |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| VNN1NV04PTR-E |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - VNN1NV04PTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)







