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VNS1NV04DPTR-E

VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics


Hersteller: STMicroelectronics
Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
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Technische Details VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, Verlustleistung: 4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMICROELECTRONICS SGSTS49909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics VNS1NV04DP-E.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 40V
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VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics 2358cd00269563.pdf Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N T/R
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VNS1NV04DPTR-E VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics 2358cd00269563.pdf Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 3.5A Automotive 8-Pin SO N T/R
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VNS1NV04DPTR-E STM IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO Транзистори
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VNS1NV04DPTR-E ST Transistor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR VNS1NV04DPTR-E TVNS1nv04d
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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VNS1NV04DPTR-E SGSTS49909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VNS1NV04DPTR-E
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - VNS1NV04DPTR-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
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Bauform - Transistor: SOIC
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Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.7A; Ch: 2; SMD; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 40V
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VNS1NV04DPTR-E
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VNS1NV04DPTR-E
Hersteller: ST
Transistor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR VNS1NV04DPTR-E TVNS1nv04d
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