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VP0104N3-G

VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf
Produktcode: 197993
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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VP0104N3-G VP0104N3-G Microchip Technology vp0104c082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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VP0104N3-G VP0104N3-G Microchip Technology VP0104C082313-3444283.pdf MOSFETs 40V 8Ohm
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VP0104N3-G VP0104N3-G Microchip Technology VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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