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VP0808L-G

VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -280mA; Idm: -3A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -0.28A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Technische Details VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology VP0808B082313-3443957.pdf MOSFETs 80V 5Ohm
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : MICROCHIP VP0808%20B082313.pdf Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology vp0808b082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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VP0808L-G
Produktcode: 149245
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