VP2450N8-g Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 2.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details VP2450N8-g Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote VP2450N8-g nach Preis ab 2.25 EUR bis 3.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VP2450N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
VP2450N8-g | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0.8A; 1.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -0.16A Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
VP2450N8-g | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 500V 30Ohm |
auf Bestellung 2506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
VP2450N8-g | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
VP2450N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VP2450N8-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, p-Kanal, 500 V, 160 mA, 30 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
VP2450N8-G Produktcode: 132675
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
 |
VP2450N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
VP2450N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |