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VP3203N3-G

VP3203N3-G Microchip Technology

vp3203b082613.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details VP3203N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 740mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : Microchip Technology vp3203b082613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.65A 3-Pin TO-92 Bag
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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vp3203.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -650mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vp3203.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -650mA; Idm: -4A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -650mA
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.74W
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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : Microchip Technology VP3203_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2887754.pdf MOSFET 30V 0.6Ohm
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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : Microchip Technology VP3203%20B082613.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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VP3203N3-G VP3203N3-G Hersteller : MICROCHIP 2374153.pdf Description: MICROCHIP - VP3203N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 740mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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