VS-10ETF06THM3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-10ETF06THM3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-10ETF06THM3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 110 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 110A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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VS-10ETF06THM3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-10ETF06THM3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 110 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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VS-10ETF06THM3 | Hersteller : Vishay |
Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A Automotive AEC-Q101 |
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| VS-10ETF06THM3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
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