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Technische Details VS-10ETF10STRL-M3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote VS-10ETF10STRL-M3 nach Preis ab 1.39 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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VS-10ETF10STRL-M3 | Vishay |
 Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| VS-10ETF10STRL-M3 |
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Hersteller: Vishay
Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Switching 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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