VS-10ETF12FP-M3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.75 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 25+ | 2.16 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 1000+ | 1.90 EUR |
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Technische Details VS-10ETF12FP-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 310 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote VS-10ETF12FP-M3 nach Preis ab 1.85 EUR bis 4.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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VS-10ETF12FP-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 310 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
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VS-10ETF12FP-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
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