VS-10ETS08FPPBF
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Technische Details VS-10ETS08FPPBF
Description: DIODE GP 800V 10A TO220ACFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote VS-10ETS08FPPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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VS-10ETS08FPPBF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 800V 10A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
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VS-10ETS08FPPBF | Vishay Semiconductors |
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| VS-10ETS08FPPBF |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 800V 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Description: DIODE GP 800V 10A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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