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VS-10ETS08S-M3

VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-10ets08s.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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Technische Details VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 Vishay Semiconductors vs-10ets08s.pdf Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
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VS-10ETS08S-M3 VS-10ETS08S-M3 VISHAY vs-10ets08s.pdf Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 160A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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VS-10ETS08S-M3
Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
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VS-10ETS08S-M3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 160A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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