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VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

vs-1efh01-m3.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
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Technische Details VS-1EFH01-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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VS-1EFH01-M3/I VS-1EFH01-M3/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1efh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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VS-1EFH01-M3\I VS-1EFH01-M3\I Hersteller : Vishay Rectifiers Freds - SMF
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