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VS-2EMH01-M3/5AT

VS-2EMH01-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-2emh01-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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Technische Details VS-2EMH01-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.

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VS-2EMH01-M3/5AT VS-2EMH01-M3/5AT Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2emh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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VS-2EMH01-M3/5AT VS-2EMH01-M3/5AT Hersteller : Vishay Semiconductors vs-2emh01-m3.pdf Rectifiers fred 100V 2A - SMA
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