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VS-2EYH02-M3/I

VS-2EYH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-2eyh01-m3.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
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Technische Details VS-2EYH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SLIMSMAW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-2EYH02-M3/I VS-2EYH02-M3/I Vishay Semiconductors vs-2eyh01-m3.pdf Rectifiers RECT 200V 2A SM HYPER FST
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