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VS-3C04ET07S2L-M3

VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c04et07s2l-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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Technische Details VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.

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VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-3c04et07s2l-m3.pdf SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
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VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Hersteller : VISHAY vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Hersteller : VISHAY vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: VISHAY - VS-3C04ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Hersteller : Vishay vs-3c04et07s2l-m3.pdf Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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