Produkte > VISHAY > VS-3C10EP12L-M3
VS-3C10EP12L-M3

VS-3C10EP12L-M3 Vishay


Hersteller: Vishay
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL POWER SIC
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.45 EUR
10+6.85 EUR
100+6.24 EUR
500+6.06 EUR
1000+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details VS-3C10EP12L-M3 Vishay

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.5V, Kind of package: tube, Leakage current: 60µA, Power dissipation: 115W.

Weitere Produktangebote VS-3C10EP12L-M3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-3C10EP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-3C10EP12L-M3
Hersteller: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH