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VS-3C10ET12S2L-M3

VS-3C10ET12S2L-M3 Vishay


Hersteller: Vishay
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
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Technische Details VS-3C10ET12S2L-M3 Vishay

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: D2PAK, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 84A, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 94W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-3C10ET12S2L-M3 VS-3C10ET12S2L-M3 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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VS-3C10ET12S2L-M3
VS-3C10ET12S2L-M3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
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