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VS-3C10ET12T-M3

VS-3C10ET12T-M3 Vishay


Hersteller: Vishay
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
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Technische Details VS-3C10ET12T-M3 Vishay

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.5V, Kind of package: tube, Leakage current: 60µA, Power dissipation: 94W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-3C10ET12T-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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VS-3C10ET12T-M3
Hersteller: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
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