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VS-4ESH01-M3/87A

VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-4esh01-m3.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
auf Bestellung 6030 Stücke:
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10+2.14 EUR
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100+0.87 EUR
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Technische Details VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A Vishay Semiconductors vs-4esh01-m3.pdf Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
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100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.56 EUR
6500+0.48 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
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100+0.88 EUR
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