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VS-4EWH02FNTR-M3

VS-4EWH02FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-4ewh02fn.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
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Technische Details VS-4EWH02FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
VS-4EWH02FNTR-M3 VS-4EWH02FNTR-M3 Vishay Semiconductors vs-4ewh02fn.pdf Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
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Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
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