VS-60APF12-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-60APF12-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 480 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote VS-60APF12-M3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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VS-60APF12-M3 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1.2KV 60A 480ns 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-60APF12-M3 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 60A 480ns 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-60APF12-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 480 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
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