VS-6EVL06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A SLIMDPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SlimDPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details VS-6EVL06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 6A SLIMDPAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SlimDPAK, Current - Average Rectified (Io): 6A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
VS-6EVL06-M3/I VS-6EVL06-M3/I Vishay vs6evl06m3.pdf Diode Switching 600V 6A 3-Pin(2+Tab) Slim DPAK T/R
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
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