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Technische Details VS-8EWS08STR-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252AA, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote VS-8EWS08STR-M3 nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-8EWS08STR-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
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