VS-C08ET07T-M3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.06 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 250+ | 3.88 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.12 EUR |
| 2500+ | 2.93 EUR |
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Technische Details VS-C08ET07T-M3 Vishay Semiconductors
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.7V, Max. forward impulse current: 57A, Kind of package: tube.
Weitere Produktangebote VS-C08ET07T-M3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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VS-C08ET07T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| VS-C08ET07T-M3 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)